[发明专利]一种具有新型PSS结构的LED外延层及其制备方法在审
| 申请号： | 201910133565.X | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109786524A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 周智斌;谈健;汪延明 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有新型PSS结构的LED外延层，包括依次设置的图形化衬底、U型GaN层、N型GaN层、MQW有源层和P型GaN层；所述图形化衬底包括衬底材料以及按照阵列排布在衬底材料上的衬底图形，所述衬底图形为圆锥体且其下底直径为1.5～3.5um、高度为0.8～2.5um，所述圆锥体包括上下设置的PSS膜层和衬底材料凸出结构或仅包括PSS膜层，所述PSS膜层的材质由氧化硅、氮化硅、氮化铝、氮氧硅中的一种或多种组合而成，在图形化衬底和U型GaN层间还设有氮化铝膜层；本发明还提供了上述LED外延层的制备方法。本发明通过设置复合材质的PSS衬底，增加了光线的全反射，有效提高了芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 衬底材料 图形化 膜层 圆锥体 制备 氮化铝膜层 出光效率 复合材质 上下设置 凸出结构 依次设置 阵列排布 氮化硅 氮化铝 氮氧硅 全反射 氧化硅 源层 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种具有新型PSS结构的LED外延层，其特征在于，包括沿轴向依次设置的图形化衬底、不掺杂Si的U型GaN层(4)、掺杂Si的N型GaN层(5)、MQW有源层(6)和P型GaN层(7)；所述图形化衬底包括衬底材料(1)以及设置在所述衬底材料(1)上的衬底图形，所述衬底图形为按照阵列均匀排布的圆锥体，该圆锥体包括上下设置的PSS膜层(2)和衬底材料(1)的凸出结构或仅包括PSS膜层(2)，所述PSS膜层(2)的材质由氧化硅、氮化硅、氮化铝、氮氧硅中的一种或多种组合而成。
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