[发明专利]一种高填充因子的CMOS成像传感器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高填充因子的CMOS成像传感器，包括设于SOI衬底的外延硅层上的电路器件区域和设于衬底硅层上的感光区域；电路器件区域与感光区域之间通过穿过埋氧层的通孔相电连接；像元之间通过浅沟槽隔离结构相隔离。本发明可同时增加感光区域的填充因子，并可使用更加优化的设计方案来提升读取电路的性能，从而提升了整体芯片的性能。本发明还公开了一种高填充因子的CMOS成像传感器的制作方法。

主权项

1.一种高填充因子的CMOS成像传感器，其特征在于，所述CMOS成像传感器设于一SOI衬底上，所述SOI衬底依次包括衬底硅层、埋氧层和外延硅层，所述CMOS成像传感器包括：设于所述外延硅层上的电路器件区域和设于所述衬底硅层上的感光区域；所述电路器件区域与所述感光区域之间通过穿过所述埋氧层的通孔相电连接；所述CMOS成像传感器的每个像元中设有一个所述电路器件区域和一个所述感光区域，所述电路器件区域和所述感光区域分别设于所述外延硅层上和所述衬底硅层上，且上下位置对应；所述CMOS成像传感器的每个像元之间通过浅沟槽隔离结构相隔离。