[发明专利]GaN HEMT毫米波可重构天线及其制备方法

摘要

本发明公开了一种GaN HEMT毫米波可重构天线及其制备方法，所述天线包括衬底，所述衬底上外延生长有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层上生长有GaN层，所述GaN层的左右两侧设置有中间不相接触的AlGaN层，左右两侧的AlGaN层上设置有欧姆接触金属电极，所述欧姆接触金属电极的下表面与所述GaN层相接触，所述AlGaN层的上表面以及两个AlGaN层之间的GaN层的上表面设置有不规则周期结构的金属条，所述不规则周期结构的金属条形成啁啾布拉格光栅，左右两侧AlGaN层的上表面的所述布拉格光栅结构通过金属层连接到一起，形成整体的栅金属层。所述天线可重构，工作方式简单，且制作工艺简单。

主权项

1.一种GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）上外延生长有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）上生长有GaN层（3），所述GaN层（3）的左右两侧设置有中间不相接触的AlGaN层（4），左右两侧的AlGaN层（4）上设置有欧姆接触金属电极（5），所述欧姆接触金属电极（5）的下表面与所述GaN层（3）相接触，所述AlGaN层（4）的上表面以及两个AlGaN层（4）之间的GaN层（3）的上表面设置有不规则周期结构的金属条（6），所述不规则周期结构的金属条形成啁啾布拉格光栅，左右两侧AlGaN层（4）的上表面的所述布拉格光栅结构通过金属层连接到一起，形成整体的栅金属层（7）；通过AlGaN层（4）和GaN层（3）之间的电压控制，控制AlGaN层自发压电极化产生的二维电子气浓度，使天线工作在四种状态：1）天线沿啁啾布拉格光栅向左、向右双向辐射；2）天线仅向左辐射；3）天线仅向右辐射；4）天线处于关闭状态。