[发明专利]二维材料生长的定位观测方法在审
| 申请号： | 201910129446.7 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109883950A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;李攀林;王天波;薛忠营;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01;G01N21/84;C01B32/184;C01B32/186;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种二维材料生长的定位观测方法，包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将标记石墨烯转移到生长衬底的上表面；3)于生长衬底的上表面生长二维材料；4)以标记石墨烯为标记对二维材料进行定位观测。本发明的二维材料生长的定位观测方法可以实现对二维材料的生长情况进行精确地定位观测；本发明中使用原子力显微镜定位观测二维材料的生长情况，对二维材料层的生长条件没有严格的要求，操作简单易行，测试成本较低；在生长衬底的上表面进行二维材料的多次生长时，二维材料每次生长的生长条件可以不同，可以实现对二维材料在不同生长条件下于同一区域的生长情况进行定位观测。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 生长 观测 衬底 生长条件 上表面 石墨烯 原子力显微镜 测试成本 同一区域 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料生长的定位观测方法，其特征在于，所述二维材料生长的定位观测方法包括如下步骤：1)获取标记石墨烯；2)提供生长衬底，并将所述标记石墨烯转移到所述生长衬底的上表面；3)于所述生长衬底的上表面生长二维材料；4)以所述标记石墨烯为标记对所述二维材料进行定位观测。
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