[发明专利]异质结双极晶体管的散热方法和散热结构在审
| 申请号： | 201910126470.5 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109935558A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 林志东;郭佳衢;魏鸿基;杨健 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/737 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;张迪 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种异质结双极晶体管的散热方法，包括如下步骤：1)在异质结双极晶体管的衬底背部涂抹光刻胶；2)在异质结双极晶体管的衬底背部覆盖一遮光罩，所述遮光罩对衬底背部对应功率放大器件的位置进行遮盖；3)通过光刻工艺去除遮光罩没有覆盖的区域的光刻胶；4)去除遮光罩，通过蚀刻工艺对衬底背部对应功率放大器件的位置进行减薄，使得功率放大器件利用减薄后的衬底进行散热。上述的异质结双极晶体管的散热方法，能够减小异质结双极晶体管在工作过程中，因为表面温度高而对RF性能造成的损失。本发明还提供了一种异质结双极晶体管的散热结构,但此衬底减薄只在相对应功率放大器件区域,其它芯片的部份均还是维持原先较厚的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极晶体管 衬底 功率放大器件 遮光罩 散热 散热结构 光刻胶 减薄 去除 衬底减薄 光刻工艺 蚀刻工艺 覆盖 减小 涂抹 遮盖 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极晶体管的散热方法，其特征在于包括如下步骤：1)在异质结双极晶体管的衬底背部涂抹光刻胶；2)在异质结双极晶体管的衬底背部覆盖一遮光罩，所述遮光罩对衬底背部对应功率放大器件的位置进行遮盖；3)通过光刻工艺去除遮光罩没有覆盖的区域的光刻胶；4)去除遮光罩，通过蚀刻工艺对衬底背部对应功率放大器件的位置进行减薄，使得功率放大器件利用减薄后的衬底进行散热。
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