[发明专利]具有隧道电介质的太阳能电池有效
| 申请号: | 201910114397.X | 申请日: | 2015-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN110047947B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
| 发明(设计)人: | 戴维·D·史密斯 | 申请(专利权)人: | 迈可晟太阳能有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/028;H01L31/0368;H01L31/0376;H01L31/068;H01L31/0745;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池可具有第一电介质,所述第一电介质形成在硅基板的第一掺杂区上方。所述太阳能电池可具有第二电介质,所述第二电介质形成在所述硅基板的第二掺杂区上方,其中所述第一电介质是与所述第二电介质不同类型的电介质。掺杂半导体可形成在所述第一电介质和所述第二电介质上方。P型金属和N型金属可形成在所述掺杂半导体上方。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 隧道 电介质 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:形成在硅基板上方的第一电介质和第二电介质,其中所述第一电介质的电子势垒大于空穴势垒,并且所述第二电介质的电子势垒小于空穴势垒;第一掺杂半导体,所述第一掺杂半导体设置在所述第一电介质上方;第二掺杂半导体,所述第二掺杂半导体设置在所述第二电介质上方;第一金属触点,所述第一金属触点形成在所述第一掺杂半导体和所述第一电介质上方;以及第二金属触点,所述第二金属触点形成在所述第二掺杂半导体上方和所述第二电介质上方。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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