[发明专利]一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201910104981.7 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111517307B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 马来鹏;魏士敬;任文才;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C23C16/26 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备技术，具体为一种在非金属基底上快速CVD生长单层石墨烯的方法，适于制备岛状石墨烯及连续石墨烯薄膜。该方法将非金属基底在非氧化性气氛中升温至生长温度，保持生长温度不变，向反应体系中充入碳源、氢气、载气和水蒸气，采用化学气相沉积技术，在基底上进行反应生长单层石墨烯。本发明通过引入水蒸气抑制多层石墨烯的形核和长大、减少石墨烯的缺陷结构，同时提高石墨烯的生长速度。采用本发明所述方法，可在非金属基底上快速生长出高质量的单层石墨烯薄膜，从而避免常规转移过程对石墨烯器件性能的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非金属 基底 快速 cvd 生长 单层 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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