[发明专利]一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910103251.5 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109860044A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 杨静;赵德刚;朱建军;陈平;刘宗顺;梁锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L33/00;H01L33/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片及其制备方法，制备方法包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对掺镁的GaN层进行退火，激活掺镁的GaN层中的镁受主，使得掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11)；步骤4：在p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。通过在p型GaN层上再生长重掺杂的p++型GaN盖层，且重掺杂的p++型GaN盖层不进行高温退火，从而改善外延片欧姆接触层质量，降低p型材料与金属接触的比接触电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 外延片 盖层 欧姆接触特性 外延生长 重掺杂 衬底 退火 接触电阻率 欧姆接触层 高温退火 金属接触 再生长 受主 激活 | ||
【主权项】：
1.一种高欧姆接触特性的p型GaN外延片的制备方法，包括：步骤1：制备衬底(10)；步骤2：在所述衬底(10)上外延生长掺镁的GaN层；步骤3：对所述掺镁的GaN层进行退火，激活所述掺镁的GaN层中的镁受主，使得所述掺镁的GaN层转变为p型GaN层(11)；步骤4：在所述p型GaN层(11)上外延生长p++型GaN盖层(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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