[发明专利]一种高通量、超灵敏检测的点阵阵列增强芯片有效
| 申请号： | 201910098748.2 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109781705B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 皮付伟;张圆媛;刘玲;尹子叶;成玉梁;林琳;李文飞;孙秀兰 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高通量、超灵敏检测的点阵阵列增强芯片，属于食品安全检测领域。本发明通过在亲水基底上化学键合单层纳米金颗粒，将纳米金材料通过静电吸附作用自然沉降至芯片孔洞中，并形成规则排列的点阵。孔洞排布的金颗粒在颗粒表面活性剂(CTAB)的间隔下形成等离子体区域增强热点所排布的纳米金颗粒相互之间聚集形成长程效应，从而提高了芯片的检测效率和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通量 灵敏 检测 点阵 阵列 增强 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种高通量、超灵敏、多靶向检测的区域等离子体信号增强点阵阵列芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)将微球溶液分散在芯片基底上，形成单层微球点阵，自然风干；(2)将固定有微球点阵的亲水基底蒸镀铝膜；(3)超声清洗，除去微球颗粒，制得表面具有微纳孔洞铝膜的芯片基底；(4)对步骤(3)处理后的芯片基底表面硅烷化处理，使处理后的界面带正电荷或负电荷；(5)将纳米金材料滴在步骤(4)处理后的基底表面，获得点阵阵列芯片。
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