[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910097600.7 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111508897A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括沿第一方向排列的第一区、第二区和第三区；在衬底上形成多个平行排列的鳍部，各鳍部的延伸方向平行于第一方向；形成横跨多个鳍部的牺牲栅极结构和多个栅极结构，栅极结构位于衬底第一区和第三区上，栅极结构的延伸方向为第二方向，牺牲栅极结构位于第二区上；在衬底上形成介质层；在介质层上形成具有第一开口和第二开口的掩膜层，第一开口位于第二区上暴露出牺牲栅极结构，第二开口位于第一区和第三区上暴露出部分栅极结构；以掩膜层为掩膜，刻蚀第一开口底部的牺牲栅极结构和鳍部、以及第二开口暴露出的部分栅极结构，分别形成第一沟槽和第二沟槽。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
