[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法有效
| 申请号： | 201910093659.9 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110880512B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 中木宽 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够增大每单位面积的存储容量的半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。实施方式的半导体存储器装置包含多个第1导电体层、第2导电体层、第1半导体层、第2半导体层、及积层体。多个第1导电体(23)在第1方向上相互隔开地配置，且分别沿与第1方向交叉的第2方向延伸。第2导电体层24相对于多个第1导电体层中的最上层向上方隔开地配置。第1半导体层(31)沿第1方向延伸。积层体32在第2方向上配置在第1半导体层与多个第1导电体层之间及第1半导体层与第2导电体层之间，且包含电荷蓄积层。第2半导体层33配置在积层体与第2导电体层间。第1半导体层至少从与第1导电体层的最上层对向的部分至与第2导电体层对向的部分为止为连续膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司，未经铠侠股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910093659.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：计算机整体数据识别方法
- 下一篇：杂盐资源化利用的方法及系统
