[发明专利]一种制备纳米孔阵列结构的方法在审
| 申请号： | 201910092407.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109941960A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 黄广飞;张渊;胡治朋;朱圣科;刘柳 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣国华 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种制备纳米孔阵列结构的方法，包括：在基底表面形成图形刻蚀层的工序；对图形刻蚀层进行处理以在基底表面形成纳米孔阵列结构的工序，所述对图形刻蚀层进行处理包括图案掩膜层制作工序和图案刻蚀工序；以基底表面的纳米孔阵列结构为掩膜，对基底进行刻蚀，将结构转移至基底，并去除基底表面结构的工序。本发明方法可以快速高效、大面积制备纳米孔阵列结构，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米孔阵列结构 基底表面 刻蚀层 制备 基底 结构转移 刻蚀工序 图案掩膜 刻蚀 掩膜 去除 图案 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米孔阵列结构的方法，其特征在于，包括：在基底表面形成图形刻蚀层的工序；对图形刻蚀层进行处理以在基底表面形成纳米孔阵列结构的工序，所述对图形刻蚀层进行处理包括图案掩膜层制作工序和图案刻蚀工序；以基底表面的纳米孔阵列结构为掩膜，对基底进行刻蚀，将结构转移至基底，并去除基底表面结构的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910092407.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
