[发明专利]紧凑型高灵敏度MEMS微电容式传感器有效
| 申请号： | 201910092073.0 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109831729B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;卓文军;王俊力 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H04R19/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 郑勤振 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及紧凑型高灵敏度MEMS微电容式传感器，包括由下往上依次设置的基底(10)、下隔离层(11)、下电极层(12)、上隔离层(13)、牺牲层(14)、振膜层(15)、上电极层(16)、绝缘层(17)，下电极层(12)和上电极层(16)均包括至少一个电极阵列单元(22)，电极阵列单元(22)包括多个电极单元，下电极层(12)的电极单元(19a)和/或上电极层(16)的电极单元(19b)的边缘具有多个缺口(20)。减少了电容结构电极固定部分的重叠面积，使得振膜振动时，电容变化幅度越大，在特征频率偏移后所能引起的阻抗变换越显著。 | ||
| 搜索关键词： | 紧凑型 灵敏度 mems 电容 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS微电容式传感器，包括由下往上依次设置的基底(10)、下隔离层(11)、下电极层(12)、上隔离层(13)、牺牲层(14)、振膜层(15)、上电极层(16)、绝缘层(17)，下电极层(12)和上电极层(16)均包括至少一个电极阵列单元(22)，电极阵列单元(22)包括多个电极单元，其特征在于，下电极层(12)的电极单元(19a)和/或上电极层(16)的电极单元(19b)的边缘具有多个缺口(20)。
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