[发明专利]导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201910091770.4 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109904088B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 蔡振飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭示提供一种导体化工艺监控方法及阵列基板的制作方法，提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述多个测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分两侧的导体化部分，所述方法包括：步骤S10：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S20：测量所述多个测试单元的电阻，并根据测量所得的电阻值对所述沟道部分导体化程度进行监控，当所述电阻值在预设电阻值范围之外时，判定此批次的导体化工艺参数失败，重新调整所述导体化工艺参数，准确控制沟道下半导体的导体化程度，使得在大规模生产中显示面板沟道部分导体化程度的一致性得到改善，从而有效提升显示面板的显示画面的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 化工 监控 方法 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种导体化工艺监控方法，其特征在于，包括：步骤S10：提供基板，所述基板包括多个测试单元，所述测试单元包括沟道部分以及设置于所述沟道部分的两侧的导体化部分；步骤S20：在所述基板上形成电阻测试组件；步骤S30：测量所述测试单元的电阻值，并根据测量所得的所述测试单元的所述电阻值对所述沟道部分的导体化程度进行监控。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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