[发明专利]功率半导体模块装置及其制造方法

摘要

本公开涉及功率半导体模块装置及其制造方法。该装置包括：壳体，包括侧壁和盖；以及衬底，布置在壳体中，衬底包括介电绝缘层、布置在介电绝缘层的第一侧上的第一金属化层和布置在介电绝缘层的第二侧上的第二金属化层，其中介电绝缘层被设置在第一和第二金属化层之间。功率半导体模块装置还包括：至少一个半导体本体，安装在第一金属化层的远离介电绝缘层的第一表面上；连接元件布置在第一金属化层的第一表面上并与其电连接；接触元件，插入连接元件并与其电连接，其中接触元件在垂直于第一表面的方向上通过壳体的内部且通过壳体的盖中的开口从连接元件延伸至壳体的外部；以及硬密封，布置为与第一金属化层相邻且至少部分地填充壳体的内部。

主权项

1.一种功率半导体模块装置，包括：壳体(40)，包括侧壁和盖；衬底(10)，布置在所述壳体(40)中，所述衬底(10)包括介电绝缘层(11)、布置在所述介电绝缘层(11)的第一侧上的第一金属化层(111)和布置在所述介电绝缘层(11)的第二侧上的第二金属化层(112)，其中所述介电绝缘层(11)被设置在所述第一金属化层(111)和所述第二金属化层(112)之间；至少一个半导体本体(20)，安装在所述第一金属化层(111)的远离所述介电绝缘层(11)的第一表面上；连接元件(32)，布置在所述第一金属化层(111)的所述第一表面上并且电连接至所述第一金属化层(111)的所述第一表面；接触元件(30)，插入所述连接元件(32)并且电连接至所述连接元件(32)，其中所述接触元件(30)在垂直于所述第一表面的方向上、穿过所述壳体(40)的内部并且穿过所述壳体(40)的所述盖中的开口、从所述连接元件(32)延伸到所述壳体(40)的外部；以及硬密封件(60)，布置为与所述第一金属化层(111)相邻并且至少部分地填充所述壳体(40)的内部。