[发明专利]纳米孔结构、控制纳米孔大小的装置及方法在审
| 申请号： | 201910082998.7 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109775659A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 梁圣法;张文昌;项飞斌;姚志宏;李冬梅;刘明;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;C12M1/00;C12Q1/6869;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种纳米孔结构、控制纳米孔大小的装置及方法，该纳米孔结构，包括：介电薄膜材料，其上形成有纳米孔或纳米孔阵列；以及金属层，其形成于所述介电薄膜材料的正反表面；其中，所述介电薄膜材料和所述金属层上对应设置有通孔。本公开提供的纳米孔结构、控制纳米孔大小的装置及方法通过采用在介电薄膜材料双面生长金属层的方法，实现对纳米孔结构电流电压曲线的线性控制；同时通过使用电化学方法原位缩小成孔的尺寸的方法，实现纳米孔的精确控制及纳米孔结构的重复利用。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米孔 介电薄膜材料 金属层 纳米孔阵列 电化学 电压曲线 结构电流 双面生长 线性控制 正反表面 重复利用 成孔 通孔 | ||
【主权项】：
1.一种纳米孔结构，包括：介电薄膜材料，其上形成有纳米孔或纳米孔阵列；以及金属层，其形成于所述介电薄膜材料的正反表面；其中，所述介电薄膜材料和所述金属层上对应设置有通孔。
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