[发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法在审
| 申请号： | 201910079795.2 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111490152A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法：在基底上沉积底电极和磁性隧道结膜(MTJ)、硬掩模膜层；图形化定义MTJ图案，硬掩模刻蚀并使其侧壁倾角大于90度；刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀；沉积绝缘层并使底电极刻蚀前端和硬掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度；对MTJ侧壁进行修剪；沉积底电极刻蚀用自对准掩模；刻蚀底电极；覆盖绝缘覆盖层，电介质填充并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀，有效降低了阴影效应，另外在硬掩模刻蚀后，硬掩模侧壁倾角大于90度，使得后续底电极刻蚀前端和硬掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度，大大提升修剪效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 超小型 磁性 随机 存储器 阵列 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910079795.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种分体式防水电插座
- 下一篇：文字识别方法和文字识别装置
