[发明专利]基于PEO电纺膜基底的近场直写聚焦及微图案脱离方法有效
| 申请号： | 201910078347.0 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109929128B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 郑高峰;钟炜政;姜佳昕;刘益芳;柳娟;郑建毅 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C08J5/00 | 分类号： | C08J5/00;C08L27/16 |
| 代理公司： | 厦门市宽信知识产权代理有限公司 35246 | 代理人： | 巫丽青 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及电纺直写技术领域，具体涉及基于PEO电纺膜基底的近场直写聚焦及微图案脱离方法，本发明提出了一种利用PEO电纺膜与铝箔结合的电纺基底，针对不溶于水的电纺材料实现电纺直写射流的聚焦以及微图案的无损脱离。该方法需要先在接地金属基底上用静电纺丝技术先纺一层水溶性PEO纤维膜，制成一个复合电纺基底，之后往基底上用电纺直写技术印制微图案，最后将复合基底连带着微图案一起浸泡在选择溶液中，此时PEO会溶解，而微图案则不会溶解，此时由于连接目标纤维膜及基底的材料溶解，微图案因此脱离基底。本发明采用上述方法，即可实现电纺直写的自准焦及电纺直写微图案与金属基底的无损分离。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 peo 电纺膜 基底 近场 聚焦 图案 脱离 方法 | ||
【主权项】：
1.基于PEO电纺膜基底的近场直写聚焦及微图案脱离方法，其特征在于：包含以下步骤：步骤一、在电纺基底上以静电纺丝技术用PEO纺制一层牺牲隔离纤维膜，该牺牲隔离纤维膜称为PEO纤维膜；步骤二、在PEO纤维膜上以电纺直写技术用目标材料纺制目标微图案，由于PEO纤维膜的高孔隙特性实现电纺直写的自准焦；步骤三、将金属基底连同PEO纤维膜及微图案浸泡进去离子水中，溶解除去PEO纤维膜，实现电纺直写微图案与电纺基底的无损快速分离。
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