[发明专利]沉积设备和沉积方法在审
申请号: | 201910067427.6 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN110387538A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 高东均;金友镇;许明洙;金仁敎;朴瑾禧 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 张燕;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 沉积设备包括腔;承受器,其在腔中支撑基板;上电极,其面向承受器;淋喷头,其在上电极和承受器之间限定气体入口空间;金属源储存器,其储存供应至腔中的金属源;汽化器,其使金属源汽化;第一气体源,其供应第一气体,以使金属源朝着汽化器移动;第二气体源,其供应第二气体,以使汽化器中的金属源朝着腔移动;第三气体源,其连接至腔,以将第三气体供应至承受器和上电极之间限定的反应空间中,使得第三气体与金属源反应;和第四气体源,其连接至腔,以供应用于清洁腔内部的第四气体。本申请还提供了一种沉积方法。 | ||
搜索关键词: | 金属源 承受器 电极 气体源 汽化器 沉积设备 沉积 汽化 第二气体源 反应空间 气体供应 气体入口 储存器 淋喷头 清洁腔 中支撑 移动 基板 储存 申请 | ||
【主权项】:
1.一种沉积设备,包括:腔;承受器,其在所述腔中支撑基板;上电极,其面向所述承受器;淋喷头,其在所述上电极和所述承受器之间限定气体入口空间;金属源储存器,其储存供应至所述腔的金属源;汽化器,其使所述金属源汽化;第一气体源,其连接至所述金属源储存器,以供应用于使所述金属源朝着所述汽化器移动的第一气体;第二气体源,其连接至所述汽化器,以供应用于使所述汽化器中的所述金属源朝着所述腔移动的第二气体;第三气体源,其连接至所述腔,以将第三气体供应至所述承受器和所述上电极之间限定的反应空间中,使得所述第三气体与所述金属源反应;和第四气体源,其连接至所述腔,以供应用于清洁所述腔的内部的第四气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的