[发明专利]一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法有效
申请号: | 201910062762.7 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN109839398B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 闫帅;张丽丽;王华;常广才;岳帅鹏;杨一鸣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海应用物理研究所 |
主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223;G01N23/04 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 邓琪;杨希 |
地址: | 201800 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法,其包括以下步骤:步骤S101,在一硅衬底的整个顶面上沉积一铜薄膜,并切割带有所述铜薄膜的硅衬底;步骤S102,刻蚀所述铜薄膜以及紧邻该铜薄膜的具有部分厚度的所述硅衬底,以形成一铜条带和一第一衬底部;以及步骤S103,刻蚀所述铜条带以及第一衬底部,以形成一铜系带和一第二衬底部。通过本发明制备的标样可以便于更精确地校准同步辐射共聚焦荧光实验中的设备,提升共聚焦微元标定的准确度。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 同步 辐射 聚焦 荧光 实验 标样 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于同步辐射共聚焦荧光实验的标样制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S101,在一硅衬底的整个顶面上沉积一铜薄膜,并切割带有所述铜薄膜的硅衬底,以使其具有第一长度和第一宽度;步骤S102,刻蚀所述铜薄膜以及紧邻该铜薄膜的具有部分厚度的所述硅衬底,以形成具有第二宽度的一铜条带和一第一衬底部,其中,所述第二宽度小于所述第一宽度;以及步骤S103,刻蚀所述铜条带以及第一衬底部,以使所述铜条带和第一衬底部的延长度方向延伸的两个相对的侧面在其中间位置处分别向内凹入,从而形成具有第三宽度和第二长度的一铜系带和一第二衬底部,其中,所述第三宽度小于所述第二宽度;其中,所述铜薄膜的厚度为5‑20nm,所述第三宽度为5‑10μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海应用物理研究所,未经中国科学院上海应用物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910062762.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。