[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 201910061717.X | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109768127A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;程金连;张武斌;乔楠;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，属于外延技术领域。该方法包括：在两片蓝宝石衬底上分别镀上一层AlN薄膜；对两片镀有所述AlN薄膜的所述蓝宝石衬底同时进行高温退火，且在退火过程中，所述两片蓝宝石衬底中的一片蓝宝石衬底叠设在另一片蓝宝石衬底上，且所述两片蓝宝石衬底相对的一面上均镀有所述AlN薄膜；在退火后的所述两片蓝宝石衬底上分别依次生长未掺杂的GaN层、N型掺杂层、多量子阱层、P型AlGaN层和P型掺杂层。高温退火可以消除AlN薄膜中因大小柱状晶粒形成的大量边界区域，形成单一结晶度的粒层，大大降低了形成的边界位错和螺旋位错密度，进而提升了后续生长的外延片的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 外延片 发光二极管 高温退火 制备 退火 多量子阱层 边界区域 螺旋位错 退火过程 外延技术 柱状晶粒 结晶度 未掺杂 生长 位错 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：在两片蓝宝石衬底上分别镀上一层AlN薄膜；对两片镀有所述AlN薄膜的所述蓝宝石衬底同时进行高温退火，且在退火过程中，所述两片蓝宝石衬底中的一片蓝宝石衬底叠设在另一片蓝宝石衬底上，且所述两片蓝宝石衬底相对的一面上均镀有所述AlN薄膜；在退火后的所述两片蓝宝石衬底上分别依次生长未掺杂的GaN层、N型掺杂层、多量子阱层、P型AlGaN层和P型掺杂层。
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