[发明专利]具有改进的编程性能的存储器设备及其操作方法在审
| 申请号： | 201910057391.3 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110211620A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 曹诚敏;李康斌 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了操作存储器设备的方法，包括：对连接至多条字线中的第一字线的存储器单元执行第一编程操作；对连接至多条字线中的第二字线的存储器单元执行第一编程操作；将第一电平的导通电压施加到第一字线和第二字线；将低于第一电平的电平的电压施加到多条字线中的第三字线；对多个单元串中的部分单元串执行预充电操作；以及对连接至第一字线的存储器单元执行第二编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 存储器单元 编程操作 操作存储器 存储器设备 编程性能 导通电压 电压施加 预充电 施加 改进 | ||
【主权项】：
1.一种操作存储器设备的方法，所述存储器设备包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括包含多个存储器单元的多个单元串、分别连接至所述多个存储器单元的多条字线、以及连接至所述多个单元串的一侧的多条位线，所述方法包括：对连接至所述多条字线中的第一字线的存储器单元执行第一编程操作；对连接至所述多条字线中的第二字线的存储器单元执行第一编程操作；将第一电平的导通电压施加到第一字线和第二字线；将低于第一电平的电平的电压施加到所述多条字线中的第三字线；对所述多个单元串中的部分单元串执行预充电操作；以及对连接至第一字线的存储器单元执行第二编程操作。
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