[发明专利]用于检测金属连线隆起的WAT测试装置、制备方法及测试方法有效
| 申请号： | 201910057319.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109801855B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于检测金属连线隆起的WAT测试装置、制备方法及测量方法。所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置，包括：前金属层和后金属层，所述前金属层具有至少一预设线宽的金属线，并在所述前金属层和所述后金属层之间设置层间介质层，且所述前金属层之预设线宽的金属线与第一测试垫电连接，所述后金属层与第二测试垫电连接。本发明所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置可以有效监测金属连线隆起对金属线宽的依赖性，并获得关键的金属线宽，为版图规则提供依据。同时，所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置亦可监测层间介质层的可靠性，如TDDB等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 金属 连线 隆起 wat 测试 装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测金属连线隆起的WAT测试装置，其特征在于，所述用于检测金属连线隆起的WAT测试装置，包括：前金属层和后金属层，所述前金属层具有至少一预设线宽的金属线，并在所述前金属层和所述后金属层之间设置层间介质层，且所述前金属层之预设线宽的金属线与第一测试垫电连接，所述后金属层与第二测试垫电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
