[发明专利]镧化合物以及使用该镧化合物形成薄膜和集成电路器件的方法在审

专利信息
申请号: 201910053529.2 申请日: 2019-01-21
公开(公告)号: CN110272438A 公开(公告)日: 2019-09-24
发明(设计)人: 朴圭熙;金润洙;林载顺;曹仑廷;原野一树;佐藤晴义;白鸟翼;山田直树 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;株式会社ADEKA
主分类号: C07F5/00 分类号: C07F5/00;C07F7/10;H01L21/288;H01L21/336;C23C16/455;C23C16/30;C23C16/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 贺卫国
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法,所述化合物由以下式1表示,其中,在式1中,R1是氢原子或者C1‑C4直链或支链烷基,R2和R3各自独立地是氢原子或者C1‑C5直链或支链烷基,R2和R3中的至少一个是C3‑C5支链烷基,并且R4是氢原子或者C1‑C4直链或支链烷基。[式1]
搜索关键词: 烷基 直链或支链 镧化合物 氢原子 集成电路器件 合成薄膜 支链烷基 薄膜 制造
【主权项】:
1.一种由以下式1表示的镧化合物,[式1]其中,在式1中,R1是氢原子或者C1‑C4直链或支链烷基,R2和R3各自独立地是氢原子或者C1‑C5直链或支链烷基,R2和R3中的至少一个是C3‑C5支链烷基,并且R4是氢原子或者C1‑C4直链或支链烷基。
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