[发明专利]一种基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910051937.4 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109888090B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 赵勇;毛双锁;孙柏;付国强;李冰 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 610031 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了基于氧化铒薄膜的忆阻器件及其制备方法，所述忆阻器括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银。一种上述基于氧化铒薄膜的忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底；S2：采用磁控溅射法，以氧化铟锡或银靶材为溅射源，在基片上溅射沉积底电极；S3：采用射频溅射法，以氧化铒靶材为溅射源，在底电极上沉积功能层Er |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于氧化铒薄膜的忆阻器，其特征在于：所述忆阻器包括顶电极、氧化铒薄膜以及底电极，所述氧化铒薄膜位于顶电极和底电极之间，其中，顶电极和底电极的材料分别为氧化铟锡或银，构成氧化铟锡或银/氧化铒/氧化铟锡或银三明治结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910051937.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
