[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及显示装置在审
| 申请号： | 201910051342.9 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109786258A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 何怀亮 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/285;H01L21/3213;C23F1/20;C23F1/26 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，所述薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：利用物理气相沉积法在基板的半导体层上依次沉积第一钼金属层，铝金属层和第二钼金属层，得到源漏金属层，其中，沉积所述第一钼金属层和所述第二钼金属层时，通入的氮气流量为0sccm～1000sccm；利用蚀刻液对所述源漏金属层进行蚀刻，得到源极和漏极，其中，所述蚀刻液包括盐酸和硝酸的混合溶液；在所述源极和漏极上依次形成钝化层和电极层。本发明还公开了一种显示装置。本发明由于在沉积钼金属层时将氮气流量控制在1000sccm以下，从而降低了钼金属层的氮含量，提高了钼金属层与蚀刻液的反应速率，使得蚀刻得到的源极和漏极无钼金属残留。 | ||
| 搜索关键词： | 钼金属层 薄膜晶体管 蚀刻液 漏极 源极 沉积 制备 蚀刻 源漏金属层 显示装置 物理气相沉积法 氮气流量控制 半导体层 氮气流量 混合溶液 铝金属层 电极层 钝化层 钼金属 硝酸 基板 盐酸 残留 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：利用物理气相沉积法在基板的半导体层上依次沉积第一钼金属层，铝金属层和第二钼金属层，得到源漏金属层，其中，沉积所述第一钼金属层和所述第二钼金属层时，通入的氮气流量为0sccm～1000sccm；利用蚀刻液对所述源漏金属层进行蚀刻，得到源极和漏极，其中，所述蚀刻液包括盐酸和硝酸的混合溶液；在所述源极和漏极上依次形成钝化层和电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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