[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体光电领域。在AlN层与未掺杂GaN层之间依次设置AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层，AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层Al的组分可在以下范围：0.4≤x≤1，0.2≤y≤0.4，AlxGa1‑xN层与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层Al的组分在该范围内时，可缓解AlN层及未掺杂GaN层之间的晶格失配。且AlxGa1‑xN层中Al的组分与AlyGa1.5yIn1‑2.5yN层中Al的组分均沿二者生长方向逐渐减小，二者中Al的组分在二者的界面处为0.4，能够较好地实现AlN层与未掺杂GaN层的连接，减小AlN层及未掺杂GaN层之间由晶格失配产生的缺陷，提高最终得到的发光二极管的外延片的晶体质量，提高最终得到的发光二极管的发光效率。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlN层、Al_xGa_1‑xN层、Al_yGa_1.5yIn_1‑2.5yN层、未掺杂GaN层、应力释放层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层，其中，0.4≤x≤1，0.2≤y≤0.4，所述Al_xGa_1‑xN层中Al的组分沿所述Al_xGa_1‑xN层的生长方向逐渐减小，所述Al_yGa_1.5yIn_1‑2.5yN层中Al的组分沿所述Al_yGa_1.5yIn_1‑2.5yN层的生长方向逐渐减小，所述Al_xGa_1‑xN层中Al的组分与所述Al_yGa_1.5yIn_1‑2.5yN层中Al的组分在所述Al_xGa_1‑xN层与所述Al_yGa_1.5yIn_1‑2.5yN层界面处相等。