[发明专利]一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910041055.X | 申请日： | 2019-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109706507B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 魏嫣莹;邓俊杰;王海辉;李理波;卢纵 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈智英 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于MXene膜的技术领域，公开了一种具有垂直孔道结构的二维MXene膜及其制备方法。方法：(1)将MAX粉末在盐酸与氟化锂的作用下进行刻蚀，离心，洗涤，干燥，超声分散，获得MXene纳米片溶液；(2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉积，取出，进行冷冻处理，干燥，获得具有垂直孔道结构的MXene膜；电泳沉积的条件：电压为1‑36V，时间为10s‑30min；所述冷冻处理的温度为‑196℃～‑100℃。本发明的方法简单，绿色环保，所制备的膜为具有垂直孔道结构，能够加快分子的穿膜速率；本发明的膜在储能、催化、光电材料、生物药物、电磁屏蔽、吸波材料等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 垂直 孔道 结构 二维 mxene 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有垂直孔道结构的MXene膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将MAX粉末在盐酸与氟化锂的作用下进行刻蚀，离心，洗涤，干燥，超声分散，获得MXene纳米片溶液；(2)将MXene纳米片溶液进行电泳沉积，取出，进行冷冻处理，干燥，获得具有垂直孔道结构的MXene膜；步骤(2)中所述电泳沉积的条件：电压为1‑36V，时间为10s‑30min；步骤(2)中所述冷冻处理的温度为‑196℃～‑100℃，冷冻处理的时间为20s‑8min。
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