[发明专利]一种CVD衬底托盘及其拼接方法在审
| 申请号: | 201910035294.4 | 申请日: | 2019-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN111411347A | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
| 发明(设计)人: | 蒋立民;董方;江宏富;郄丽曼;王敬强 | 申请(专利权)人: | 协鑫工业设计研究(徐州)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 221004 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明提供一种CVD衬底托盘,由n个矩形衬底载具和n‑1个条状的卡持部件组成,通过拼接槽进行无缝拼接,通过卡持部连接衬底载具,固定衬底。本发明所述的CVD衬底托盘成本低、强度高、不易变形,可以根据需要调节托盘大小,并可降低托盘整体热应力,避免托盘开裂,减少托盘损坏,另外对于损坏的衬底载具可以及时局部更换,降低托盘成本投入并且利用卡持部件设有预留缝隙,防止沉积过程中“桥接”现象出现。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 cvd 衬底 托盘 及其 拼接 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





