[发明专利]一种背结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供一种背结太阳能电池及其制备方法，背结太阳能电池包括P型硅基体，硅基体的正面形成有第III族元素掺杂的局部前表面场，正面由内至外设有正面钝化层、钝化减反层，正面设有正面电极，背面由内至外设有隧穿氧化层、第V族元素掺杂的掺杂硅层、背面钝化层，背面设有背面电极。制备方法包括：在P型硅基体背面形成隧穿氧化层，在隧穿氧化层上形成用V族元素掺杂的掺杂硅层，形成正面钝化层、钝化减反层与背面钝化层，在背面印银栅线，钝化减反层印金属栅线并烧结。上述方法能得到背结太阳能电池，降低金属半导体接触区的少子复合，避免硼掺杂或开槽，避免高温损伤硅基体，金属栅线上叠加银线降低栅线电阻。

主权项

1.一种背结太阳能电池，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体为P型硅基体，其中，所述硅基体的正面形成有第III族元素掺杂的局部前表面场，所述硅基体的正面由内至外依次设有正面钝化层、钝化减反层，所述硅基体的正面设有与所述局部前表面场连接的正面电极，所述硅基体的背面由内至外依次设有隧穿氧化层、第V族元素掺杂的掺杂硅层与背面钝化层，所述硅基体的背面设有与所述掺杂硅层连接的背面电极。