[发明专利]基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明属于柔性器件领域，为设计并制备一种基于a‑IGZO薄膜的高介电常数栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此，本发明采取的技术方案是，基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法，PET衬底上自下而上依次为ITO底栅、二氧化铪HfO₂栅介质膜和a‑IGZO薄膜，ITO底栅引出底栅电极，在顶部设置有源、漏电极，源、漏电极分别与HfO₂栅介质膜和a‑IGZO薄膜联通。本发明主要应用于柔性晶体管设计制造场合。

主权项

1.一种基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管制造方法，其特征是，步骤如下：a、选用聚对苯二甲酸乙二醇酯PET柔性材料作为衬底，首先将PET放进盛有丙酮溶液的烧杯中，然后在超声波清洗器中清洗5分钟，随后使用异丙醇溶液将用丙酮清洗过的PET在超声波清洗器中将丙酮清洗干净，得到较为清洁的衬底；b、采用磁控溅射在PET衬底上镀200nm厚氧化铟锡ITO膜以及5nm厚二氧化铪HfO₂底部介质栅层膜；c、采用磁控溅射的方式在栅介质层上形成一层a‑IGZO薄膜，作为有源层；d、在a‑IGZO薄膜表面涂上AZ5214光刻胶，并使用匀胶机，设置转速为2000rpm，转动时间为30s，将光刻胶甩均匀，随后使用光刻机以及制作好的掩膜版进行光刻形成特定的源漏电极图案；e、通过真空电子束蒸镀的方式在薄膜表面沉积一层100nm的金，作为金属源漏电极；f、在丙酮溶液中将光刻胶去除掉之后，一个完整的晶体管就制备完成了。