[发明专利]一种基于单层介质的双频宽带圆极化栅有效
| 申请号： | 201910029989.1 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN109755755B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 程钰间;王洪斌;赵凡;樊勇;宋开军;林先其;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q15/24 | 分类号： | H01Q15/24 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于卫星通信领域，提供一种基于单层介质的双频宽带圆极化栅，在保证基于低剖面单层介质结构前提下，解决现有报道双频圆极化栅插损大、带宽窄的问题。本发明圆极化栅的单元结构中，十字型结构的水平“I”型偶极子和半“I”型偶极子分别提供低频和高频谐振；通过调节所述水平“I”型偶极子及半“I”型偶极子的尺寸，实现圆极化栅低频通带及高频通带的调节以及双频异圆极化出射波；并且，十字型结构的垂直“I”型偶极子进一步优化工作频带，实现在两个中心频点18.55和28.54GHz处插损分别仅为1.1和0.8dB，轴比带宽分别高达24％和11％的效果，完全覆盖了K/Ka卫星通信工作频段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单层 介质 双频 宽带 极化 | ||
【主权项】：
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