[发明专利]一种CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法在审
申请号: | 201910023625.2 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109801987A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 彭寿;马立云;潘锦功;傅干华;赵雷 | 申请(专利权)人: | 成都中建材光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开一种CdTe薄膜太阳能电池组件及其制备方法,由下往上依次包括:衬底、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层;所述光吸收层为CdTe层;所述背接触层包括:Cu2Te层和掺铜的导电碳浆层,所述掺铜的导电碳浆层材料为Cu NPs:CNTs;所述组件采用的背接触结构能降低与CdTe的接触势垒,形成欧姆接触,从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能,使CdTe薄膜太阳能电池组件的开路电压和填充因子高,提高电池的性能,转换效率高,长期稳定性佳,同时,其制备方法操作简单,工艺简单,容易控制。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池组件 制备 导电碳浆层 背接触层 光吸收层 碲化镉薄膜太阳电池 长期稳定性 背电极层 接触势垒 开路电压 欧姆接触 填充因子 转换效率 背接触 窗口层 衬底 电池 | ||
【主权项】:
1.一种CdTe薄膜太阳能电池组件,其特征在于,由下往上依次包括:衬底、窗口层、光吸收层、背接触层和背电极层;所述光吸收层为CdTe层;所述背接触层包括:Cu2Te层和掺铜的导电碳浆层,所述掺铜的导电碳浆层材料为CuNPs:CNTs。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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