[发明专利]一种单手性单壁碳纳米管的制备方法有效
| 申请号： | 201910021001.7 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN109678138B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 胡悦;刘大燕;钱金杰;黄少铭 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C01B32/159 | 分类号： | C01B32/159;C01B32/162 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开一种单手性单壁碳纳米管的制备方法，所述单手性单壁碳纳米管的制备方法如下：(1)合成一系列二维过渡金属硫族化合物(TMDs)催化剂前驱体。(2)将步骤(1)中合成的催化剂前驱体转移在适于单手性单壁碳纳米管生长的单晶生长基底上或者直接在含有TMDs催化剂前驱体的基底上生长单手性单壁碳纳米管。(3)将步骤(2)中的基底进行两次化学气相沉积，即可制备出单手性单壁碳纳米管，以MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 手性 单壁碳 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单手性单壁碳纳米管的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：(1)以二维过渡金属硫族化合物为催化剂前驱体；(2)将步骤(1)的催化剂前驱体加载在适于单壁碳纳米管生长的单晶生长基底上，然后置于石英管中在还原气氛下进行化学气相沉积，经过氧化、碳化后得到X2C纳米颗粒，其中X为二维过渡金属元素；(3)将步骤(2)中的基底再次在还原气氛下进行化学气相沉积，制备单手性单壁碳纳米管。
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