[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910016269.1 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109860274A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福州臻美网络科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳迈辽知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 赖耀华 |
| 地址： | 350000 福建省福州市马尾区马尾镇宗棠路18号（原创*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层表面形成沟槽；在所述沟槽表面及所述第一外延层上表面形成第一隔离层；在所述沟槽表面的第一隔离层表面形成第一多晶硅层；在所述沟槽的底部的第一多晶硅层的表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层上形成间隔排列的多个第一导电类型的第二外延层及第二导电类型的第三外延层，以将所述沟槽填满，其中，所述第二外延层及所述第三外延层的底端均与所述第二隔离层连接，位于所述沟槽侧壁处的第一多晶硅层与一第二外延层连接。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 隔离层 第一导电类型 多晶硅层 沟槽表面 隔离层表面 外延层表面 表面形成 衬底表面 导电类型 沟槽侧壁 沟槽填满 间隔排列 上表面 衬底 底端 制作 生长 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底表面生长第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层表面形成沟槽；在所述沟槽表面及所述第一外延层上表面形成第一隔离层；在所述沟槽表面的第一隔离层表面形成第一多晶硅层；在所述沟槽的底部的第一多晶硅层的表面形成第二隔离层；在所述第二隔离层上形成间隔排列的多个第一导电类型的第二外延层及第二导电类型的第三外延层，以将所述沟槽填满，其中，所述第二外延层及所述第三外延层的底端均与所述第二隔离层连接，位于所述沟槽侧壁处的第一多晶硅层与一第二外延层连接；去除所述沟槽顶部的部分第二外延层及部分第三外延层，以暴露出位于所述沟槽侧壁的部分第一多晶硅层；在暴露出的部分第一多晶硅层表面形成侧墙；在所述第二外延层及第三外延层上生长所述第四外延层，以将所述沟槽填满，所述第四外延层的底面与所述第二外延层及第三外延层连接。
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