[发明专利]NLDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910014743.7 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109888016B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NLDMOS器件，包括：由第一N型深阱组成的漂移区，形成于和第一N型深阱具有间距的第二N型深阱中的P阱，形成于漂移区表面的第一PTOP层和形成于P阱表面的第二PTOP层，两个PTOP层的工艺条件相同且同时形成；源极的金属的延伸到漂移区的顶部并形成的源端金属场板和栅极在漂移区顶部的走线形成的栅端金属场板都向源侧移动用以拉大和漏极延伸形成的漏端金属场板的间距从而提高器件的击穿电压，同时将第二PTOP层向漏区侧延伸到第一和第二N型深阱之间，用于降低场氧第一侧的。本发明还公开了一种NLDMOS器件的制造方法。本发明能提高LDMOS的漏端饱和电流，同时能使器件的击穿电压保持不变或提高。 | ||
| 搜索关键词： | nldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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