[发明专利]一种具有宽波段抗反射能力的硅纳米柱阵列结构在审
申请号: | 201910014031.5 | 申请日: | 2019-01-08 |
公开(公告)号: | CN109524489A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 孟彦龙;徐恺;檀珺;金国君 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;G02B1/11;G02B5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310018 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明为一种具有宽波段抗反射能力的硅纳米柱阵列结构。该结构由单晶硅衬底上周期排布的硅纳米柱阵列小单元构成。通过综合利用不同种类的纳米柱结构的优秀性能,将不同的纳米柱组合促使优异的性能进行累加,从而实现可调节宽波长范围内的低反射率,实现抗反射、增透射、光选择或滤光等作用。本发明在叠层太阳能电池、具有结构色显色和一些需滤光的光电器件中都可以获得重要的应用。 | ||
搜索关键词: | 硅纳米柱阵列 抗反射 宽波段 滤光 叠层太阳能电池 单晶硅 纳米柱结构 低反射率 光电器件 周期排布 累加 结构色 可调节 宽波长 纳米柱 小单元 透射 衬底 显色 应用 | ||
【主权项】:
1.一种具有宽波段抗反射能力的硅纳米柱阵列结构,其特征在于该结构由单晶硅衬底上周期排列的硅纳米柱阵列小单元构成,其中硅纳米柱阵列小单元由多种具有不同尺寸的硅纳米柱组合构成,并且硅纳米柱在小单元中具有特定的占空比。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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