[发明专利]一种多原子分子电子碰撞电离截面的计算方法在审
申请号: | 201910010173.4 | 申请日: | 2019-01-04 |
公开(公告)号: | CN109741795A | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 樊小鹏;周永言;李丽;唐念;邹庄磊 | 申请(专利权)人: | 广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | G16C20/20 | 分类号: | G16C20/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;唐京桥 |
地址: | 510600 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于电压工程技术领域,尤其涉及一种多原子分子电子碰撞电离截面的计算方法。本发明提供了一种多原子分子电子碰撞电离截面的计算方法,包括以下步骤:步骤1:选择CF3CN分子作为测试分子,计算其电子碰撞电离截面,筛选出分子结构计算方法;步骤2:在量子化学软件中搭建C4F7N分子模型;步骤3:优化分子结构;步骤4:计算分子轨道参数;步骤5:确定参与碰撞过程的分子轨道数量;步骤6:基于修正后的BEB公式计算分子的总电子碰撞电离截面。本发明解决了现有技术中计算出的电子碰撞电离截面往往大于实验值的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 电子碰撞电离 多原子分子 分子轨道 工程技术领域 测试分子 分子结构 分子模型 公式计算 结构计算 碰撞过程 筛选 修正 优化 | ||
【主权项】:
1.一种多原子分子电子碰撞电离截面的计算方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:选择CF3CN分子作为测试分子,计算其电子碰撞电离截面,筛选出分子结构计算方法;步骤2:在量子化学软件中搭建C4F7N分子模型;步骤3:优化分子结构;步骤4:计算分子轨道参数;步骤5:确定参与碰撞过程的分子轨道数量;步骤6:基于修正后的BEB公式计算分子的总电子碰撞电离截面。
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