[发明专利]一种专用于传感电磁炉的电路在审

专利信息
申请号: 201910005725.2 申请日: 2019-01-03
公开(公告)号: CN109548209A 公开(公告)日: 2019-03-29
发明(设计)人: 雷小川 申请(专利权)人: 重庆悠悦智能科技有限公司
主分类号: H05B6/06 分类号: H05B6/06;H05B6/12
代理公司: 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 代理人: 王霞
地址: 400000 重庆市涪陵区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及烹饪加热设备领域,公开了一种专用于传感电磁炉的电路。通过本发明创造,可提供一种能够降低电路复杂度以及减小“竞争冒险”风险的新型传感电磁炉电路,即通过设计逻辑电路单元,可以将来自主控制电路单元的一路PWM信号转换为两路同步且电平互反的驱动信号,并通过IGBT半桥驱动电路的同步放大作用,可以对IGBT半桥电路单元中的上部晶体管和下部晶体管进行互反地通断控制,进而不但可以降低电路复杂度,还可以有效规避在互反通断过程中出现“竞争冒险”的风险,确保最终在涡流线圈中能够稳定地产生封闭磁场力。此外,所述电路还具有可防止电流冲击、自动散热降温、成本低廉和易于实现等优点,便于实际推广和应用。
搜索关键词: 传感 电路 电路复杂度 电磁炉 晶体管 半桥驱动电路 设计逻辑电路 自主控制电路 电磁炉电路 电流冲击 放大作用 封闭磁场 加热设备 驱动信号 通断控制 涡流线圈 自动散热 减小 两路 通断 烹饪 转换 应用
【主权项】:
1.一种专用于传感电磁炉的电路,其特征在于:包括市电插接件、EMI滤波电路单元、整流桥电路单元、开关电源电路单元、IGBT半桥电路单元、IGBT半桥驱动电路单元、逻辑电路单元、主控制电路单元和涡流线圈,其中,所述逻辑电路单元包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)、第一与门(AND1)、第二与门(AND2)、第三与门(AND3)、第四与门(AND4)、第一三极管(BJT1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)和第七电阻(R7),所述IGBT半桥电路单元包括第一IGBT晶体管(IBGT1)、第二IGBT晶体管(IGBT2)、第一电感(L1)、第一电容(C1)、第二电容(C2)和第三电容(C3);所述主控制电路单元的PWM信号输入端(PWM)分别电连接所述第一二极管(D1)的阴极、所述第二二极管(D2)的阳极、所述第二与门(AND2)的第一输入端和所述第三二极管(D3)的阳极,所述第一二极管(D1)的阳极分别电连接所述第二二极管(D)的阴极和所述第一与门(AND)的输入端,所述第一与门(AND1)的输出端分别电连接所述第二与门(AND2)的第一输入端和所述第四二极管(D4)的阳极,所述第二与门(AND2)的输出端电连接所述第三与门(AND3)的第一输入端,所述第三二极管(D3)的阴极和所述第四二极管(D4)的阴极分别电连接第一电阻(R1)的一端,所述第一电阻(R1)的另一端分别电连接所述第二电阻(R2)的一端和所述第一三极管(BJT1)的基极,所述第一三极管(BJT1)的集电极分别电连接所述第三电阻(R3)的一端和所述第四与门(AND4)的第二输入端;所述主控制电路单元的使能信号输入端(ENABLE)通过所述第四电阻(R4)分别电连接所述第五电阻(R5)的一端、所述第三与门(AND3)的第二输入端和所述第四与门(AND3)的第一输入端,所述第三与门(AND3)的输出端通过第六电阻(R6)电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第一脉冲信号输出端(INHS+),所述第四与门(AND4)的输出端通过第七电阻(R7)电连接所述IGBT半桥驱动电路单元的第二脉冲信号输出端(INLS+),所述第三电阻(R3)的另一端和所述第五电阻(R5)的另一端分别电连接第一高电平电位(5V),所述第二电阻(R2)的另一端和所述第一三极管(BJT1)的发射极分别接地;所述IGBT半桥驱动电路单元的第一驱动信号输出端(IGBT_H)电连接所述第一IGBT晶体管(IBGT1)的门极,所述IGBT半桥驱动电路单元的第二驱动信号输出端(IGBT_L)电连接所述第二IGBT晶体管(IBGT2)的门极,所述第一IGBT晶体管(IBGT1)的集电极分别电连接所述整流桥电路单元的高电位输出端(HV+/VBUS)、所述第一电容(C1)的一端、所述第三电容(C3)的一端和所述涡流线圈的一端,所述第一IGBT晶体管(IBGT1)的发射极分别电连接所述第二IGBT晶体管(IBGT2)的集电极、所述第一电感(L1)的一端(VHS)和所述涡流线圈的另一端,所述第一电感(L1)的另一端分别电连接所述第一电容(C1)的另一端和所述第二电容(C2)的一端,所述第二IGBT晶体管(IBGT2)的发射极、所述第二电容的另一端和所述第三电容(C3)的另一端分别接地;所述市电插接件、所述EMI滤波电路单元和所述整流桥电路单元依次电连接,所述整流桥电路单元的高电位输出端(HV+/VBUS)电连接所述开关电源电路单元。
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