[发明专利]一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201910004558.X 申请日: 2019-01-03
公开(公告)号: CN109627700B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 许群;曹帅;仝欣 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: C08L65/00 分类号: C08L65/00;C08L25/18;C08J5/18
代理公司: 郑州豫开专利代理事务所(普通合伙) 41131 代理人: 张智伟
地址: 450001 河南省郑州*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明属于PEDOT∶PSS膜制备技术领域,公开一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法。包括如下步骤:(1)、在冰浴条件下,配制浓度为0.1‑1mol/L的NIPAM单体溶液;(2)、室温环境中,向PEDOT∶PSS水分散液中加入步骤(1)所得NIPAM单体溶液,混合均匀;其中,PEDOT∶PSS水分散液和NIPAM单体溶液的体积比为(1‑10)∶1;(3)、将步骤(2)所得混合液转移到器皿中,干燥成膜。本发明制得的导电薄膜的电导率提高不小于30倍,大大提高了其导电性能,对采用其制备的电学器件的性能的提升也很重要。
搜索关键词: 一种 导电 pedot pss 制备 方法
【主权项】:
1.一种高导电PEDOT∶PSS膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)、在冰浴条件下,配制浓度为0.1‑1mol/L的NIPAM单体溶液;(2)、室温环境中,向PEDOT∶PSS水分散液中加入步骤(1)所得NIPAM单体溶液,混合均匀;其中,PEDOT∶PSS水分散液和NIPAM单体溶液的体积比为(1‑10)∶1;(3)、将步骤(2)所得混合液转移到器皿中,干燥成膜。
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