[发明专利]显示基板、显示装置和显示基板的制造方法有效
| 申请号： | 201910002327.5 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109742089B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;张志海 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 230012 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种显示基板、显示装置和显示基板的制造方法，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的显示基板中，硅基晶体管的层间介质层中的氢离子扩散至氧化物半导体基晶体管中的有源区的问题。本发明的显示基板中，第一有源区的材料包括硅材料，第二有源区的材料包括氧化物半导体材料；第一栅极与第一源漏极之间设置有第一层间介质层，第二有源区位于第一层间介质层背向基底的一侧，第二有源区与第一层间介质层之间设置有阻挡层，阻挡层用于阻挡第一层间介质层中的氢离子扩散至第二有源区中。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示基板，其特征在于，包括：基底以及设置在基底上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管均为水平型晶体管，第一晶体管包括第一栅极、第一有源区、第一源漏极，第二晶体管包括第二栅极、第二有源区、第二源漏极；第一有源区的材料包括硅材料，第二有源区的材料包括氧化物半导体材料；第一栅极与第一源漏极之间设置有第一层间介质层，第二有源区位于第一层间介质层背向基底的一侧，第二有源区与第一层间介质层之间设置有阻挡层，阻挡层用于阻挡第一层间介质层中的氢离子扩散至第二有源区中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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