[发明专利]一种SiC单晶片精抛用水基抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201910001859.7 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109679506B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王瑞;梁庆瑞;王含冠 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/04 | 分类号： | C09G1/04 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种SiC单晶片精抛用水基抛光液及其制备方法，将初始抛光液进行预处理至满足第一条件，将预处理后的初始抛光液除杂后得到水基抛光液，所述预处理的方法包括：将初始抛光液置于抛光装置中对SiC单晶片或与SiC单晶片硬度相同的材料进行粗抛处理。本申请通过对抛光液进行粗抛预处理后得到的水基抛光液对SiC单晶片进行精抛的效果达到最佳状态；通过本申请制备的水基抛光液对SiC单晶片精抛后，可以明显降低SiC单晶片表面的损伤和划痕，获得高质量的SiC单晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶片 精抛用水基 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶片精抛用水基抛光液的制备方法，其特征在于：将初始抛光液进行预处理至满足第一条件，将预处理后的初始抛光液除杂后得到水基抛光液，所述预处理的方法包括：将初始抛光液置于抛光装置中对SiC单晶片或与SiC单晶片硬度近似的材料进行抛光处理。
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