[发明专利]摄像装置以及摄像装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880100053.7 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN113169192A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 须贺健介 | 申请（专利权）人： | 奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孙明浩;崔成哲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 摄像装置(1)具备：玻璃罩(20)，其具有第1主面(20SA)和第2主面(20SB)；摄像部(30)，其具有受光面(30SA)和后表面(30SB)，所述受光面(30SA)配设于比所述受光面(30SA)大的所述第2主面(20SB)；第1树脂(50)，其配设在所述第2主面(20SB)的、所述摄像部(30)的周围，与光轴(O)正交的截面为与所述第2主面(20SB)相同的外尺寸，在至少1个侧面具有至少1个与所述光轴(O)平行的槽(T50)；以及第2树脂(70)，其配设于所述槽(T50)。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥林巴斯株式会社，未经奥林巴斯株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880100053.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
