[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序在审
| 申请号： | 201880095678.9 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112424915A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 出贝求;中谷公彦;芦原洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/205;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够选择性地在衬底上形成膜的技术。具有下述工序：在将在表面具有第1区域和与所述第1区域不同的第2区域的衬底的温度根据所述第1区域的组成进行调节的同时，向所述衬底供给具有有机配体的吸附控制剂，使所述第1区域有机封端的工序；和向所述衬底供给堆积气体，使膜选择生长于所述第2区域的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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