[发明专利]光电二极管以及制造方法、传感器、传感阵列在审
申请号: | 201880092174.1 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN112292761A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 雷述宇 | 申请(专利权)人: | 宁波飞芯电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京展翅星辰知识产权代理有限公司 11693 | 代理人: | 王文生 |
地址: | 315500 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供一种光电二极管以及制造方法、传感器、传感阵列。该光电二级管包括:半导体衬底(300);外延层(310),形成在半导体衬底(300)上;光电二极管区(320),形成于外延层(310)的预定区域内,用于生成光生载流子(370),光电二极管区(320)包括至少两个掺杂区域(321、322、323),至少两个掺杂区域中不同电势的掺杂区域从光电二极管区(320)的边缘向光电二极管区(320)的几何中心的方向排布。该光电二级管实现了将光电二极管区内随机分布的光生载流子先集中于指定位置再通过该指定位置到达传输栅级(350),显著提高了光电二极管的响应速度和测量精度。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 以及 制造 方法 传感器 传感 阵列 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的