[发明专利]砷化镓单晶和砷化镓单晶基板在审
| 申请号： | 201880091881.9 | 申请日： | 2018-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN111902573A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 高山英俊;石川幸雄 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;牛嵩林 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种砷化镓单晶，其包含具有圆柱形状的直体部，其中在外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从所述直体部的外周面起朝向中心轴向内10mm处的内周面与位于从所述外周面起向内5mm处的位置之间延伸。还提供一种砷化镓单晶基板，其中在外周部中在切线方向上的残余应变为压缩应变，所述外周部在位于从外周起朝向中心向内10mm处的内周与位于从所述外周起向内5mm处的位置之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓单晶 砷化镓单晶基板 | ||
【主权项】：
暂无信息
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