[发明专利]具有用于功率MOSFET的多晶硅场板的半导体器件在审
| 申请号： | 201880089547.X | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111771286A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 陈亚平;H·杨;P·李;S·斯瑞达;Y·刘;R·刘 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件(100)包括衬底(102)，该衬底包括半导体表面层(102a)。场板(FP)(112)包括半导体表面层中的沟槽，该沟槽由位于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET)106的至少一个侧面上的单个多晶硅层(122)填充。功率MOSFET包括在多晶硅层的下面对沟槽的侧壁进行衬垫的电介质内衬，该电介质内衬包括在第一电介质内衬(140)上的第二电介质内衬(142)。与其下部上的电介质厚度相比，电介质内衬的上部具有较低的电介质厚度。单个多晶硅层沿着下部和上部两者在电介质内衬之上连续地延伸。功率MOSFET包括：漏极，其包括在半导体表面层中的垂直漂移区(110)下方的漏极触点(108)；以及在垂直漂移区上方的栅极(126)、基体(124)和源极(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 功率 mosfet 多晶 硅场板 半导体器件 | ||
【主权项】：
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