[发明专利]高度缩放的线性GaN HEMT结构在审
| 申请号： | 201880088743.5 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111868931A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 文贞顺;安德里亚·科林;J·C·王;亚当·J·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/66;H01L29/10;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京鸿德海业知识产权代理事务所(普通合伙) 11412 | 代理人： | 于未茗 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶体管包括衬底、耦合到衬底的沟道层、耦合到沟道层的源极、耦合到沟道层的漏极、以及在源极与漏极之间耦合到沟道层的栅极。栅极在靠近沟道层之处具有小于50纳米的长度尺寸，并且沟道层包括至少第一GaN层和在第一GaN层上的第一缓变AlGaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 缩放 线性 gan hemt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HRL实验室有限责任公司，未经HRL实验室有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880088743.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
