[发明专利]用于晶圆键合组件的晶圆级低熔解温度互连的制造方法在审
| 申请号： | 201880087992.2 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111656495A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·P·基尔科因;埃里克·R·米勒;乔治·格拉马 | 申请（专利权）人： | 雷神公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造平面晶圆级金属柱的阵列的方法包括：将柱的阵列电镀在第一晶圆的基板上的光刻胶(PR)图案模具内。将所述PR图案模具从所述基板和所述柱的阵列剥离。在低于150摄氏度的温度下将氧化物层涂覆在所述第一晶圆的表面上。应用化学机械抛光(CMP)以使所述氧化物层和所述柱的阵列平面化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶圆键合 组件 晶圆级低 熔解 温度 互连 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
