[发明专利]包含控制逻辑结构的半导体装置、电子系统和相关方法在审
| 申请号: | 201880087867.1 | 申请日: | 2018-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111656523A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
| 发明(设计)人: | K·D·拜格尔;S·E·西里斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L27/07;H01L21/8238 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种半导体装置包含包括叠层的堆叠结构。所述堆叠结构的每个叠层包括:存储器元件层级,所述存储器元件层级包括存储器元件;以及控制逻辑层级,所述控制逻辑层级与所述存储器元件层级电通信,所述控制逻辑层级包括:第一子叠层结构,所述第一子叠层结构包括第一数量的晶体管,所述第一数量的晶体管包括P型沟道区域或N型沟道区域;以及位于所述第一子叠层结构之上的第二子叠层结构,所述第二子叠层结构包括第二数量的晶体管,所述第二数量的晶体管包括P型沟道区域或N型沟道区域中的另一个。公开了相关的半导体装置和形成所述半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 包含 控制 逻辑 结构 半导体 装置 电子 系统 相关 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





